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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMS86104Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo92R5564
Rodo à Medida88T3339
Segmento de fita88T3339
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 3.940 | $ 19.70 |
| Total Preço | $ 19.70 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 3.940 |
| 10+ | $ 2.570 |
| 25+ | $ 2.370 |
| 50+ | $ 2.160 |
| 100+ | $ 1.960 |
| 250+ | $ 1.840 |
| 500+ | $ 1.710 |
| 1000+ | $ 1.650 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 1.750 |
| 6000+ | $ 1.680 |
| 12000+ | $ 1.550 |
| 18000+ | $ 1.510 |
| 30000+ | $ 1.470 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMS86104Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo92R5564
Rodo à Medida88T3339
Segmento de fita88T3339
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd73W
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation73W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDMS86104 is a N-channel MOSFET is produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- Shielded gate MOSFET technology
- Advanced package and silicon combination for low RDS (ON) and high efficiency
- MSL1 Robust package design
- 100% UIL tested
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
73W
Power Dissipation
73W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Case Style
Power 56
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDMS86104
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
