Imprimir página
FDMS3572
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 8.8 A, 0.0165 ohm, Power 56, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMS3572Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rolo completo30M0743
Rodo à Medida61M6269RL
Segmento de fita61M6269
Seu número de peça
18,000 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Ver o tempo limite
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.690 | $ 3.69 |
| Total Preço | $ 3.69 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.690 |
| 10+ | $ 2.410 |
| 25+ | $ 2.180 |
| 50+ | $ 1.970 |
| 100+ | $ 1.740 |
| 250+ | $ 1.720 |
| 500+ | $ 1.690 |
| 1000+ | $ 1.410 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 1.410 |
| 6000+ | $ 1.340 |
| 12000+ | $ 1.210 |
| 18000+ | $ 1.160 |
| 30000+ | $ 1.120 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMS3572Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rolo completo30M0743
Rodo à Medida61M6269RL
Segmento de fita61M6269
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id8.8A
Drain Source On State Resistance0.0165ohm
On Resistance Rds(on)0.0165ohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDMS3572 is an UItraFET Trench® N-channel MOSFET combines characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. Optimized for RDS (ON), low ESR, low total and Miller gate charge. It is ideal for high frequency DC to DC converters.
- Low Miller charge
- Optimized efficiency at high frequencies
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.8A
On Resistance Rds(on)
0.0165ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0165ohm
Transistor Case Style
Power 56
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDMS3572
1 produto encontrado
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto