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FDMC86160ET100
Power MOSFET, Shielded Gate, N Channel, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMC86160ET100Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rolo completo45Y5121
Rodo à Medida07AH3916RL
Segmento de fita07AH3916
Gama de produtosPowerTrench
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.750 | $ 3.75 |
| Total Preço | $ 3.75 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.750 |
| 10+ | $ 2.360 |
| 25+ | $ 2.150 |
| 50+ | $ 1.960 |
| 100+ | $ 1.750 |
| 250+ | $ 1.640 |
| 500+ | $ 1.520 |
| 1000+ | $ 1.400 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 1.840 |
| 6000+ | $ 1.770 |
| 12000+ | $ 1.640 |
| 18000+ | $ 1.590 |
| 30000+ | $ 1.550 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMC86160ET100Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rolo completo45Y5121
Rodo à Medida07AH3916RL
Segmento de fita07AH3916
Gama de produtosPowerTrench
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id43A
On Resistance Rds(on)0.0112ohm
Drain Source On State Resistance0.0112ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation65W
Power Dissipation Pd65W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0112ohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65W
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
43A
Drain Source On State Resistance
0.0112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Power Dissipation Pd
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDMC86160ET100
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto