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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMC86102LCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo27T6430
Rodo à Medida85W3145
Segmento de fita85W3145
Seu número de peça
363,000 Em Estoque
363,000 disponível em Segmento de fita
363,000 disponível em Rolo completo
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 1.310 | $ 3,930.00 |
| Total Preço | $ 3,930.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 50+ | $ 1.310 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 1.030 |
| 6000+ | $ 0.956 |
| 12000+ | $ 0.884 |
| 18000+ | $ 0.860 |
| 30000+ | $ 0.845 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMC86102LCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo27T6430
Rodo à Medida85W3145
Segmento de fita85W3145
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id18A
On Resistance Rds(on)0.0189ohm
Drain Source On State Resistance23mohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd41W
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Transistor Case StyleMLP
Power Dissipation41W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDMC86102L is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the ON-state resistance and yet maintains superior switching performance.
- Low-profile
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0189ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
41W
Transistor Case Style
MLP
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Drain Source On State Resistance
23mohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation
41W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDMC86102L
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
