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FDMC510P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 18 A, 0.008 ohm, MLP, Surface Mount
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMC510P
Código Newark55T6319
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id18A
On Resistance Rds(on)0.0064ohm
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Transistor Case StyleMLP
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd41W
Rds(on) Test Voltage-4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max-500mV
Power Dissipation41W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDMC510P is a P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It is suitable for battery management and load switch applications.
- High-performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- 100% UIL tested
- 2kV typical HBM ESD protection level
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0064ohm
Transistor Case Style
MLP
Power Dissipation Pd
41W
Gate Source Threshold Voltage Max
-500mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
-4.5V
Power Dissipation
41W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDMC510P
2 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos