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FDMC3612
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 16 A, 0.11 ohm, WDFN, Surface Mount
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMC3612Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark88T3260
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.070 |
| 10+ | $ 0.675 |
| 100+ | $ 0.445 |
| 500+ | $ 0.346 |
| 1000+ | $ 0.314 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMC3612Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark88T3260
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id16A
On Resistance Rds(on)0.092ohm
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd35W
Power Dissipation35W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.092ohm
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
35W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDMC3612
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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