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FDMA420NZ
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 5.7 A, 30 mohm, MicroFET, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMA420NZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo86K1355
Segmento de fita79R1467
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 15 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.789 | $ 2,367.00 |
| Total Preço | $ 2,367.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.789 |
| 6000+ | $ 0.659 |
| 9000+ | $ 0.592 |
| 15000+ | $ 0.536 |
| 30000+ | $ 0.471 |
| 75000+ | $ 0.424 |
| 150000+ | $ 0.352 |
| 300000+ | $ 0.342 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.352 |
| 9000+ | $ 0.346 |
| 15000+ | $ 0.326 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMA420NZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo86K1355
Segmento de fita79R1467
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.7A
Drain Source On State Resistance30mohm
On Resistance Rds(on)0.0168ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd2.4W
Transistor Case StyleMicroFET
Gate Source Threshold Voltage Max830mV
Power Dissipation2.4W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDMA420NZ is a single N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process to optimize the RDS (ON) at VGS=2.5V on special MicroFET lead-frame. It is suitable for use in Li-ion battery pack.
- Halogen-free
- <gt/>2.5kV Typical HBM ESD protection level
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
30mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.4W
Gate Source Threshold Voltage Max
830mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.7A
On Resistance Rds(on)
0.0168ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
MicroFET
Power Dissipation
2.4W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto