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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMA420NZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo86K1355
Rodo à Medida79R1467
Segmento de fita79R1467
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 16 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.354 | $ 1,062.00 |
| Total Preço | $ 1,062.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 250+ | $ 0.354 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.240 |
| 6000+ | $ 0.238 |
| 12000+ | $ 0.237 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMA420NZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo86K1355
Rodo à Medida79R1467
Segmento de fita79R1467
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.7A
Drain Source On State Resistance30mohm
On Resistance Rds(on)0.0168ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.4W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleMicroFET
Gate Source Threshold Voltage Max830mV
Power Dissipation2.4W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDMA420NZ is a single N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process to optimize the RDS (ON) at VGS=2.5V on special MicroFET lead-frame. It is suitable for use in Li-ion battery pack.
- Halogen-free
- <gt/>2.5kV Typical HBM ESD protection level
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
30mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
830mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.7A
On Resistance Rds(on)
0.0168ohm
Power Dissipation Pd
2.4W
Transistor Case Style
MicroFET
Power Dissipation
2.4W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
