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FDMA2002NZ
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 2.9 A, 0.075 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMA2002NZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo20M1166
Rodo à Medida76M7880
Segmento de fita76M7880
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 16 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.454 | $ 1,362.00 |
| Total Preço | $ 1,362.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.454 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.434 |
| 6000+ | $ 0.408 |
| 12000+ | $ 0.388 |
| 18000+ | $ 0.367 |
| 30000+ | $ 0.355 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMA2002NZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo20M1166
Rodo à Medida76M7880
Segmento de fita76M7880
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id2.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel2.9A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.075ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleµFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.9A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
2.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.075ohm
Transistor Case Style
µFET
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto