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FDMA1029PZ
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 3.1 A
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMA1029PZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante40 semanas
Código Newark04M9096
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 40 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.324 |
| 6000+ | $ 0.305 |
| 12000+ | $ 0.290 |
| 18000+ | $ 0.275 |
| 30000+ | $ 0.266 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
$ 972.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMA1029PZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante40 semanas
Código Newark04M9096
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.06ohm
Transistor Case StyleµFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDMA1029PZ is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It has two independent P-channel MOSFETs with low ON-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bidirectional current flow is possible. The MicroFET thin package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
- Low profile
- Halogen-free
- ±12V Gate to source voltage
- -3.1A Continuous drain current
- 6A Pulsed drain current
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.06ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
3.1A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
µFET
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDMA1029PZ
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto