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FDM3622
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 4.4 A, 0.06 ohm, Power 33, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDM3622Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo64K0972
Rodo à Medida87W8826
Segmento de fita87W8826
Seu número de peça
18,000 Em Estoque
18,000 disponível em Segmento de fita
18,000 disponível em Rolo completo
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 1.010 | $ 3,030.00 |
| Total Preço | $ 3,030.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 1.010 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 1.020 |
| 6000+ | $ 0.952 |
| 12000+ | $ 0.880 |
| 18000+ | $ 0.856 |
| 30000+ | $ 0.841 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDM3622Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo64K0972
Rodo à Medida87W8826
Segmento de fita87W8826
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id4.4A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
On Resistance Rds(on)0.044ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.1W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StylePower 33
Power Dissipation2.1W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDM3622 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- Optimized efficiency at high frequencies
- UIS Capability (single pulse and repetitive Pulse Formerly developmental type 82744)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.1W
Transistor Case Style
Power 33
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
On Resistance Rds(on)
0.044ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto