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FDG8850NZ
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDG8850NZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante70 semanas
Código Newark
Rolo completo52M3172
Segmento de fita25R7490
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 14 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.616 | $ 1,848.00 |
| Total Preço | $ 1,848.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.616 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.268 |
| 6000+ | $ 0.252 |
| 12000+ | $ 0.239 |
| 18000+ | $ 0.227 |
| 30000+ | $ 0.219 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDG8850NZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante70 semanas
Código Newark
Rolo completo52M3172
Segmento de fita25R7490
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id750mA
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel750mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.25ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel360mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Descrição geral do produto
The FDG8850NZ is a dual N-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
- Very small package outline
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <lt/>1.5V)
- ±12V Gate to source voltage
- 0.75A Continuous drain current
- 2.2A Pulsed drain current
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
750mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
750mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.25ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (19-Jan-2021)
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Certificado de conformidade do produto
