Imprimir página
FDG6335N
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDG6335NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo29X6689
Rodo à Medida58K1457
Segmento de fita58K1457
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 14 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.624 | $ 1,872.00 |
| Total Preço | $ 1,872.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.624 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.308 |
| 6000+ | $ 0.290 |
| 12000+ | $ 0.276 |
| 18000+ | $ 0.261 |
| 30000+ | $ 0.253 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDG6335NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo29X6689
Rodo à Medida58K1457
Segmento de fita58K1457
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id700mA
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel700mA
Continuous Drain Current Id P Channel700mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.18ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.18ohm
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel300mW
Power Dissipation P Channel300mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Descrição geral do produto
The FDG6335N is a PowerTrench® dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use in small switching regulators, providing an extremely low RDS (ON) and gate charge (QG) in a small package. It is suitable for use with DC-to-DC converters and load switch applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Compact industry standard surface-mount-package
- ±12V Gate to source voltage
- 0.7A Continuous drain current
- 2.1A Pulsed drain current
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
700mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.18ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
300mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
700mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
700mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.18ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (08-Jul-2021)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto