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FDG6332C
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDG6332CCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2051
Segmento de fita82C2485
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 15 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.540 | $ 1,620.00 |
| Total Preço | $ 1,620.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.540 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.267 |
| 6000+ | $ 0.240 |
| 12000+ | $ 0.219 |
| 18000+ | $ 0.206 |
| 30000+ | $ 0.192 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDG6332CCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2051
Segmento de fita82C2485
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id700mA
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel700mA
Continuous Drain Current Id P Channel700mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.18ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.18ohm
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel300mW
Power Dissipation P Channel300mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDG6332C is a N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive and packages are impractical. It is suitable for use with DC-to-DC converters, load switch and LCD display inverter applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
700mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.18ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
300mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
700mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
700mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.18ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
