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FDG6301N
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 220 mA, 4 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDG6301NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2047
Segmento de fita58K8834
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 12 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.680 | $ 2,040.00 |
| Total Preço | $ 2,040.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.680 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.156 |
| 6000+ | $ 0.148 |
| 12000+ | $ 0.141 |
| 18000+ | $ 0.134 |
| 30000+ | $ 0.125 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDG6301NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2047
Segmento de fita58K8834
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Continuous Drain Current Id220mA
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel300mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Descrição geral do produto
The FDG6301N is a dual N-channel logic level enhancement-mode Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signals MOSFETs.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <lt/>1.5V)
- Gate-source Zener for ESD ruggedness (<gt/>6kV human body model)
- Compact industry standard surface-mount-package
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
220mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Drain Source On State Resistance N Channel
4ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (10-Jun-2022)
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Certificado de conformidade do produto