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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.960 | $ 1.96 |
| Total Preço | $ 1.96 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.960 |
| 10+ | $ 1.250 |
| 25+ | $ 1.110 |
| 50+ | $ 0.973 |
| 100+ | $ 0.836 |
| 250+ | $ 0.749 |
| 500+ | $ 0.660 |
| 1000+ | $ 0.604 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.787 |
| 3000+ | $ 0.762 |
| 6000+ | $ 0.708 |
| 12000+ | $ 0.654 |
| 18000+ | $ 0.637 |
| 30000+ | $ 0.626 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDD5N60NZTMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante59 semanas
Código Newark
Rolo completo54T8321
Rodo à Medida99AC9159
Segmento de fita99AC9159
Gama de produtosUniFET II
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id4A
On Resistance Rds(on)1.65ohm
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd83W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET II
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
1.65ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
83W
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET II
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDD5N60NZTM
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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