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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.780 | $ 1.78 |
| Total Preço | $ 1.78 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.780 |
| 10+ | $ 1.130 |
| 25+ | $ 1.000 |
| 50+ | $ 0.878 |
| 100+ | $ 0.753 |
| 250+ | $ 0.673 |
| 500+ | $ 0.592 |
| 1000+ | $ 0.541 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.689 |
| 3000+ | $ 0.667 |
| 6000+ | $ 0.620 |
| 12000+ | $ 0.573 |
| 18000+ | $ 0.557 |
| 30000+ | $ 0.548 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDD5N50NZTMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante63 semanas
Código Newark
Rolo completo92R5523
Rodo à Medida54AH8625RL
Segmento de fita54AH8625
Gama de produtosUniFET II
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id4A
On Resistance Rds(on)1.38ohm
Drain Source On State Resistance1.5ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd62W
Power Dissipation62W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET II
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
1.38ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
62W
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET II
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
62W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDD5N50NZTM
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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