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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC8601Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark
Rolo completo92R5520
Rodo à Medida85W3137
Segmento de fita85W3137
Seu número de peça
18,000 Em Estoque
18,000 disponível em Segmento de fita
18,000 disponível em Rolo completo
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.881 | $ 2,643.00 |
| Total Preço | $ 2,643.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 250+ | $ 0.881 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.578 |
| 6000+ | $ 0.563 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC8601Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark
Rolo completo92R5520
Rodo à Medida85W3137
Segmento de fita85W3137
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2.7A
On Resistance Rds(on)0.086ohm
Drain Source On State Resistance0.109ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleSuperSOT
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDC8601 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It is suitable for use in load switch, synchronous rectifier and primary switch applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- Fast switching speed
- 100% UIL tested
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.086ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SuperSOT
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.7A
Drain Source On State Resistance
0.109ohm
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
