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FDC658AP
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4 mA, 0.05 ohm, SuperSOT, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC658APCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rolo completo25AC9533
Rolo completo86K1335
Rodo à Medida15R3423
Segmento de fita15R3423
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.971 | $ 0.97 |
| Total Preço | $ 0.97 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.971 |
| 25+ | $ 0.760 |
| 50+ | $ 0.644 |
| 100+ | $ 0.551 |
| 250+ | $ 0.473 |
| 500+ | $ 0.412 |
| 1000+ | $ 0.348 |
| 2500+ | $ 0.305 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.264 |
| 6000+ | $ 0.258 |
| 12000+ | $ 0.245 |
| 18000+ | $ 0.242 |
| 30000+ | $ 0.238 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC658APCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rolo completo25AC9533
Rolo completo86K1335
Rodo à Medida15R3423
Segmento de fita15R3423
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4mA
Drain Source On State Resistance0.05ohm
On Resistance Rds(on)0.044ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Transistor Case StyleSuperSOT
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDC658AP is a logic level single P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management, load switch and DC-to-DC conversion applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SuperSOT
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4mA
On Resistance Rds(on)
0.044ohm
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDC658AP
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
