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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC655BNCópia
Código Newark
Rodo à Medida87X8727
Segmento de fita87X8727
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.628 | $ 3.14 |
| Total Preço | $ 3.14 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.628 |
| 10+ | $ 0.405 |
| 25+ | $ 0.368 |
| 50+ | $ 0.331 |
| 100+ | $ 0.294 |
| 250+ | $ 0.259 |
| 500+ | $ 0.224 |
| 1000+ | $ 0.201 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC655BNCópia
Código Newark
Rodo à Medida87X8727
Segmento de fita87X8727
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6.3A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd800mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation800mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.3A
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
800mW
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDC655BN
4 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
