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FDC655BN
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC655BNCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo64K0963
Rodo à Medida15R3422RL
Segmento de fita15R3422
Seu número de peça
1,504 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.829 | $ 0.83 |
| Total Preço | $ 0.83 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.829 |
| 50+ | $ 0.533 |
| 100+ | $ 0.363 |
| 250+ | $ 0.327 |
| 500+ | $ 0.290 |
| 1000+ | $ 0.266 |
| 2500+ | $ 0.261 |
| 5000+ | $ 0.255 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.224 |
| 9000+ | $ 0.210 |
| 15000+ | $ 0.206 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC655BNCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo64K0963
Rodo à Medida15R3422RL
Segmento de fita15R3422
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6.3A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Transistor Case StyleSuperSOT
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDC655BN is a logic level single N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimized ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Fast switching
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.6W
Transistor Case Style
SuperSOT
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.3A
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDC655BN
3 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto