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FDC642P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC642PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo38C7109
Rodo à Medida31Y1348RL
Segmento de fita31Y1348
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.855 | $ 4.28 |
| Total Preço | $ 4.28 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.855 |
| 10+ | $ 0.474 |
| 25+ | $ 0.426 |
| 50+ | $ 0.378 |
| 100+ | $ 0.331 |
| 250+ | $ 0.298 |
| 500+ | $ 0.264 |
| 1000+ | $ 0.238 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.268 |
| 6000+ | $ 0.252 |
| 12000+ | $ 0.240 |
| 18000+ | $ 0.227 |
| 30000+ | $ 0.220 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC642PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo38C7109
Rodo à Medida31Y1348RL
Segmento de fita31Y1348
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDC642P is a 2.5V specified single P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the larger packages are impractical. It is suitable for use in load switch and battery protection application.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 11nC typical low gate charge
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDC642P
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto