Imprimir página
FDC638APZ
MOSFET, P, SMD, SSOT-6
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC638APZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo26AM3262
Rodo à Medida61M6208RL
Segmento de fita61M6208
Seu número de peça
25,231 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.979 | $ 4.90 |
| Total Preço | $ 4.90 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.979 |
| 10+ | $ 0.608 |
| 25+ | $ 0.537 |
| 50+ | $ 0.465 |
| 100+ | $ 0.393 |
| 250+ | $ 0.348 |
| 500+ | $ 0.302 |
| 1000+ | $ 0.272 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.240 |
| 6000+ | $ 0.238 |
| 12000+ | $ 0.235 |
| 18000+ | $ 0.234 |
| 30000+ | $ 0.233 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC638APZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo26AM3262
Rodo à Medida61M6208RL
Segmento de fita61M6208
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source On State Resistance0.043ohm
On Resistance Rds(on)0.037ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.043ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
On Resistance Rds(on)
0.037ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDC638APZ
3 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto