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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC637ANCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark67R2038
Seu número de peça
18,000 Em Estoque
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.422 |
| 6000+ | $ 0.397 |
| 12000+ | $ 0.378 |
| 18000+ | $ 0.358 |
| 30000+ | $ 0.346 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
$ 1,266.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC637ANCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark67R2038
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6.2A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd1.6W
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max820mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDC637AN is a 2.5V specified single N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint compared with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages. It is suitable for use in DC-to-DC converter, load switching and battery protection applications.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 10.5nC Typical low gate charge
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
820mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.2A
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDC637AN
3 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
