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FDC608PZ
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.8 A, 30 mohm, SuperSOT, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC608PZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo30M0737
Segmento de fita85W3136
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 14 Semana(s)
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.291 | $ 873.00 |
| Total Preço | $ 873.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.291 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.307 |
| 9000+ | $ 0.302 |
| 15000+ | $ 0.284 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC608PZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo30M0737
Segmento de fita85W3136
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.8A
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Drain Source On State Resistance30mohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd1.6W
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Descrição geral do produto
The FDC608PZ is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for battery power, load switching, battery power circuits and DC-to-DC conversion applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.8A
Drain Source On State Resistance
30mohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDC608PZ
2 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (10-Jun-2022)
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Certificado de conformidade do produto