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FDC3601N
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC3601NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo27AC5661
Rodo à Medida61M6199RL
Segmento de fita61M6199
Seu número de peça
52,198 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.980 | $ 0.98 |
| Total Preço | $ 0.98 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.980 |
| 50+ | $ 0.611 |
| 100+ | $ 0.397 |
| 250+ | $ 0.351 |
| 500+ | $ 0.305 |
| 1000+ | $ 0.275 |
| 2500+ | $ 0.270 |
| 5000+ | $ 0.264 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.314 |
| 6000+ | $ 0.295 |
| 12000+ | $ 0.280 |
| 18000+ | $ 0.266 |
| 30000+ | $ 0.257 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC3601NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo27AC5661
Rodo à Medida61M6199RL
Segmento de fita61M6199
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel1A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.5ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para FDC3601N
3 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto