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FDC2612
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC2612Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo82C2439
Rodo à Medida31Y1343RL
Segmento de fita31Y1343
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.170 | $ 1.17 |
| Total Preço | $ 1.17 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.170 |
| 10+ | $ 0.737 |
| 25+ | $ 0.653 |
| 50+ | $ 0.569 |
| 100+ | $ 0.484 |
| 250+ | $ 0.431 |
| 500+ | $ 0.376 |
| 1000+ | $ 0.341 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.418 |
| 6000+ | $ 0.392 |
| 12000+ | $ 0.373 |
| 18000+ | $ 0.354 |
| 30000+ | $ 0.342 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC2612Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo82C2439
Rodo à Medida31Y1343RL
Segmento de fita31Y1343
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance0.605ohm
On Resistance Rds(on)0.605ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDC2612 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- Fast switching speed
- 8nC typical low gate charge
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.605ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
On Resistance Rds(on)
0.605ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDC2612
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto