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FDB3632
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-263AB, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDB3632Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo27AC5659
Rolo completo67R2024
Rodo à Medida28H9661RL
Segmento de fita28H9661
Seu número de peça
10,328 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.670 | $ 4.67 |
| Total Preço | $ 4.67 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.670 |
| 10+ | $ 3.260 |
| 25+ | $ 2.990 |
| 50+ | $ 2.730 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 800+ | $ 1.960 |
| 1600+ | $ 1.450 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDB3632Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo27AC5659
Rolo completo67R2024
Rodo à Medida28H9661RL
Segmento de fita28H9661
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.009ohm
On Resistance Rds(on)0.009ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd310W
Transistor Case StyleTO-263AB
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation310W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The FDB3632 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification, battery protection circuit and micro solar inverter.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
310W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.009ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-263AB
Power Dissipation
310W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDB3632
1 produto encontrado
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
