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FDB2710
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 50 A, 0.0425 ohm, TO-263AB, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDB2710Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante47 semanas
Código Newark30M0735
Seu número de peça
4,800 Em Estoque
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.690 |
| 3000+ | $ 3.560 |
| 6000+ | $ 3.380 |
| 12000+ | $ 3.200 |
| 18000+ | $ 3.110 |
| 30000+ | $ 3.080 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 800
Vários: 800
$ 2,952.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDB2710Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante47 semanas
Código Newark30M0735
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0425ohm
On Resistance Rds(on)0.0363ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd260W
Transistor Case StyleTO-263AB
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation260W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The FDB2710 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification and battery protection circuit.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Low gate charge
- High power and current handing capability
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.0425ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
260W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
2Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.0363ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-263AB
Power Dissipation
260W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDB2710
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto