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FDB13AN06A0
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 62 A, 0.0135 ohm, TO-263AB, Surface Mount
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDB13AN06A0Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante47 semanas
Código Newark50H4190
Seu número de peça
4,800 Em Estoque
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 500+ | $ 1.040 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 800
Vários: 800
$ 832.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDB13AN06A0Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante47 semanas
Código Newark50H4190
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id62A
Drain Source On State Resistance0.0135ohm
On Resistance Rds(on)0.0135ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd115W
Transistor Case StyleTO-263AB
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation115W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
115W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
62A
On Resistance Rds(on)
0.0135ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-263AB
Power Dissipation
115W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (3)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto