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FDA38N30
MOSFET Transistor, N Channel, 38 A, 300
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDA38N30Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark31Y1333
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.890 |
| 10+ | $ 5.140 |
| 25+ | $ 4.380 |
| 50+ | $ 3.630 |
| 100+ | $ 3.390 |
| 250+ | $ 3.140 |
| 500+ | $ 3.080 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDA38N30Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark31Y1333
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id38A
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleTO-204AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd312W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation312W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
Transistor Case Style
TO-204AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
312W
Power Dissipation
312W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos