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FCPF250N65S3L1-F154
MOSFET, N-CH, 650V, 12A, TO-220F
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFCPF250N65S3L1-F154Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark50AJ3063
Gama de produtosSUPERFET III
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 21 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.290 |
| 10+ | $ 3.720 |
| 25+ | $ 3.380 |
| 50+ | $ 3.040 |
| 100+ | $ 2.820 |
| 250+ | $ 2.630 |
| 500+ | $ 2.440 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 5.29
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFCPF250N65S3L1-F154Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark50AJ3063
Gama de produtosSUPERFET III
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
On Resistance Rds(on)0.21ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation31W
Power Dissipation Pd31W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
31W
No. of Pins
3Pins
Product Range
SUPERFET III
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.21ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto