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FCPF190N60E
MOSFET, N-CH, 600V, 20.6A, TO-220F
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFCPF190N60ECópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark55W4067
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFCPF190N60ECópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark55W4067
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id20.6A
On Resistance Rds(on)0.16ohm
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd39W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation39W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.16ohm
Transistor Case Style
TO-220F
Power Dissipation Pd
39W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.6A
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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