FCD4N60TM
MOSFET, N, 600V, D-PAK
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.600 | $ 13.00 |
| Total Preço | $ 13.00 | ||
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.600 |
| 10+ | $ 1.770 |
| 25+ | $ 1.550 |
| 50+ | $ 1.330 |
| 100+ | $ 1.100 |
| 250+ | $ 1.070 |
| 500+ | $ 1.040 |
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.210 |
| 3000+ | $ 1.180 |
| 6000+ | $ 1.090 |
| 12000+ | $ 1.010 |
| 18000+ | $ 0.983 |
| 30000+ | $ 0.966 |
Informação do produto
Descrição geral do produto
The FCD4N60TM is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
- Ultra low gate charge (Qg = 12.8nC)
- Low effective output capacitance (Coss.eff = 32pF)
- 100% avalanche tested
Aplicações
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Alternative Energy
Especificações Técnicas
N Channel
3.9A
1.2ohm
Surface Mount
50W
50W
150°C
-
Lead (25-Jun-2025)
600V
1ohm
TO-252 (DPAK)
10V
5V
3Pins
-
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para FCD4N60TM
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Legislação e Ambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidade do produto