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FAD6263M1X
Gate Driver, 2 Channels, Half Bridge, IGBT, MOSFET, 16 Pins, SOIC
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFAD6263M1XCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark38AH6561
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|---|---|
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFAD6263M1XCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark38AH6561
Ficha técnica
No. of Channels2Channels
Gate Driver Type-
Driver ConfigurationHalf Bridge
Power Switch TypeIGBT, MOSFET
Driver Case StyleSOIC
No. of Pins16Pins
IC Case / PackageSOIC
Input Type-
IC MountingSurface Mount
Source Current3A
Sink Current3A
Supply Voltage Min10V
Supply Voltage Max22V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Input Delay155ns
Output Delay55ns
QualificationAEC-Q100
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
No. of Channels
2Channels
Driver Configuration
Half Bridge
Driver Case Style
SOIC
IC Case / Package
SOIC
IC Mounting
Surface Mount
Sink Current
3A
Supply Voltage Max
22V
Operating Temperature Max
125°C
Output Delay
55ns
Product Range
-
Gate Driver Type
-
Power Switch Type
IGBT, MOSFET
No. of Pins
16Pins
Input Type
-
Source Current
3A
Supply Voltage Min
10V
Operating Temperature Min
-40°C
Input Delay
155ns
Qualification
AEC-Q100
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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