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BUL45D2G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBUL45D2GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark26K3550
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 12 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 250+ | $ 1.720 |
| 500+ | $ 1.620 |
| 1000+ | $ 1.480 |
| 2500+ | $ 1.260 |
| 5000+ | $ 1.230 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 250
Vários: 50
$ 430.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBUL45D2GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark26K3550
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo400V
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current5A
Power Dissipation75W
Power Dissipation Pd75W
DC Collector Current5A
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE32hFE
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-220
Transition Frequency13MHz
DC Current Gain hFE Min32hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BUL45D2G is a NPN state-of-art high speed high gain Bipolar Power Transistor (H2BIP) with high dynamic characteristics and lot-to-lot minimum spread 150ns on storage time makes it ideally suitable for light ballast applications. It offers extremely low storage time minimum/maximum guarantees due to the H2BIP structure which minimizes the spread.
- Low base drive requirement
- Integrated collector-emitter free wheeling diode
- Fully characterized and guaranteed dynamic VCE(sat)
- 6 Sigma process providing tight and reproducible parameter spreads
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
75W
DC Collector Current
5A
DC Current Gain hFE
32hFE
Transistor Case Style
TO-220
DC Current Gain hFE Min
32hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
400V
Continuous Collector Current
5A
Power Dissipation Pd
75W
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
13MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
