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BSS138W
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 210 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBSS138WCópia
Código Newark
Rolo completo85AC1481
Rodo à Medida31Y0562RL
Segmento de fita31Y0562
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.598 | $ 0.60 |
| Total Preço | $ 0.60 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.598 |
| 50+ | $ 0.370 |
| 100+ | $ 0.236 |
| 250+ | $ 0.207 |
| 500+ | $ 0.178 |
| 1000+ | $ 0.159 |
| 2500+ | $ 0.156 |
| 5000+ | $ 0.153 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.127 |
| 9000+ | $ 0.115 |
| 15000+ | $ 0.113 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBSS138WCópia
Código Newark
Rolo completo85AC1481
Rodo à Medida31Y0562RL
Segmento de fita31Y0562
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id210mA
On Resistance Rds(on)1.17ohm
Drain Source On State Resistance3.5ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd340mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation340mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSS138W is a N-channel enhancement-mode FET designed to minimize ON-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
On Resistance Rds(on)
1.17ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Power Dissipation Pd
340mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
210mA
Drain Source On State Resistance
3.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
340mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
