Imprimir página
BSS138
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBSS138Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2009
Rodo à Medida58K8769RL
Segmento de fita58K8769
Seu número de peça
2,305,888 Em Estoque
Precisa de mais?
16888 Estoque disponivel nos EUA. Prazo de entrega 1-2 semanas. Pedidos feitos antes das 20h EST, Envio padrão.
2292000 Produto em estoque no Reino Unido, disponivel para entrega em 2-3 semanas.
Encomendar antes das 20:00, envio normal
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.323 | $ 0.32 |
| Total Preço | $ 0.32 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.323 |
| 25+ | $ 0.202 |
| 50+ | $ 0.166 |
| 100+ | $ 0.130 |
| 250+ | $ 0.115 |
| 500+ | $ 0.099 |
| 1000+ | $ 0.089 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.066 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBSS138Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2009
Rodo à Medida58K8769RL
Segmento de fita58K8769
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id220mA
On Resistance Rds(on)0.7ohm
Drain Source On State Resistance3.5ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd360mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSS138 is N channel logic level enhancement mode field effect transistor in SOT-23 package. This product is designed to minimize on state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance thus BSS138 are suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 50V
- Gate to source voltage of ±20V
- Low on state resistance of 3.5ohm at Vgs 10V
- Continuous drain current of 220mA
- Maximum power dissipation of 360mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
On Resistance Rds(on)
0.7ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
360mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
220mA
Drain Source On State Resistance
3.5ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para BSS138
1 produto encontrado
Produtos associados
8 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto