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BSS123
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBSS123Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante33 semanas
Código Newark
Rolo completo40P2803
Rodo à Medida58K8768RL
Segmento de fita58K8768
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.366 | $ 0.37 |
| Total Preço | $ 0.37 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.366 |
| 25+ | $ 0.233 |
| 50+ | $ 0.192 |
| 100+ | $ 0.151 |
| 250+ | $ 0.134 |
| 500+ | $ 0.116 |
| 1000+ | $ 0.105 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.078 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBSS123Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante33 semanas
Código Newark
Rolo completo40P2803
Rodo à Medida58K8768RL
Segmento de fita58K8768
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id170mA
Drain Source On State Resistance6ohm
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd360mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSS123 is N channel logic level enhancement mode field effect transistor in SOT-23 package. This product is designed to minimize on state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance thus BSS123 are suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 100V
- Gate to source voltage of ±20V
- Low on state resistance of 1.2ohm at Vgs 10V
- Continuous drain current of 170mA
- Maximum power dissipation of 360mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170mA
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Power Dissipation Pd
360mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para BSS123
3 produtos encontrados
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
