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BS170_D27Z
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBS170_D27ZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rodo à Medida67P3441
Segmento de fita67P3441
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a partir do armazém dos EUA
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.540 | $ 0.54 |
| Total Preço | $ 0.54 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.540 |
| 10+ | $ 0.415 |
| 25+ | $ 0.283 |
| 50+ | $ 0.235 |
| 100+ | $ 0.197 |
| 250+ | $ 0.157 |
| 500+ | $ 0.132 |
| 1000+ | $ 0.109 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBS170_D27ZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rodo à Medida67P3441
Segmento de fita67P3441
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance1.2ohm
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd830mW
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Transistor Case StyleTO-92
Power Dissipation830mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Alternativas para BS170_D27Z
2 produtos encontrados
Descrição geral do produto
The BS170_D27Z is a N-channel enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. It is designed to minimize ON-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 500mA DC. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- High density cell design for low RDS (ON)
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
830mW
Transistor Case Style
TO-92
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
Power Dissipation
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
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