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| 10+ | $ 0.834 |
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| 500+ | $ 0.508 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBD681G.Cópia
Código Newark37K9450
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation Pd40W
Transition Frequency-
DC Collector Current4A
Power Dissipation40W
RF Transistor CaseTO-225
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE750hFE
Transistor Case StyleTO-225AA
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min750hFE
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation Pd
40W
DC Collector Current
4A
RF Transistor Case
TO-225
DC Current Gain hFE
750hFE
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE Min
750hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Continuous Collector Current
4A
Transition Frequency
-
Power Dissipation
40W
No. of Pins
3Pins
Transistor Case Style
TO-225AA
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (3)
Alternativas para BD681G.
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
