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BD137G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Through Hole
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBD137GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark26W8127
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.220 |
| 10+ | $ 0.523 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBD137GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark26W8127
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max60V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo60V
Continuous Collector Current1.5A
Power Dissipation Pd65W
Power Dissipation65W
DC Collector Current1.5A
Transistor Case StyleTO-225AA
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE40hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
60V
Power Dissipation Pd
65W
DC Collector Current
1.5A
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
60V
Continuous Collector Current
1.5A
Power Dissipation
65W
Transistor Case Style
TO-225AA
DC Current Gain hFE
40hFE
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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