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BC559BTA
TRANS, BIPOL, ONSEMI BC559BTA
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBC559BTACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark85AC1458
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.262 |
| 10+ | $ 0.161 |
| 25+ | $ 0.143 |
| 50+ | $ 0.126 |
| 100+ | $ 0.108 |
| 250+ | $ 0.098 |
| 500+ | $ 0.087 |
| 1000+ | $ 0.078 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.26
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBC559BTACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark85AC1458
Ficha técnica
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current100mA
DC Collector Current100mA
Power Dissipation Pd500mW
Power Dissipation500mW
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency150MHz
DC Current Gain hFE Min200hFE
DC Current Gain hFE200hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BC559BTA is a PNP epitaxial silicon Bipolar Transistor suitable for switching and amplifier applications.
- Low noise
- Complement to BC549
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
30V
DC Collector Current
100mA
Power Dissipation
500mW
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
150MHz
DC Current Gain hFE
200hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Continuous Collector Current
100mA
Power Dissipation Pd
500mW
Transistor Case Style
TO-92
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para BC559BTA
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto