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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N7002VCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante70 semanas
Código Newark
Rolo completo12N0102
Rodo à Medida84W8891RL
Segmento de fita84W8891
Seu número de peça
2,931 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.675 | $ 0.68 |
| Total Preço | $ 0.68 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.675 |
| 50+ | $ 0.437 |
| 100+ | $ 0.358 |
| 250+ | $ 0.351 |
| 500+ | $ 0.344 |
| 1000+ | $ 0.325 |
| 2500+ | $ 0.257 |
| 5000+ | $ 0.188 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.243 |
| 6000+ | $ 0.219 |
| 12000+ | $ 0.200 |
| 18000+ | $ 0.188 |
| 30000+ | $ 0.175 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N7002VCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante70 semanas
Código Newark
Rolo completo12N0102
Rodo à Medida84W8891RL
Segmento de fita84W8891
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id280mA
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel280mA
Continuous Drain Current Id P Channel280mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.6ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-523F
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The 2N7002V is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET offers low ON-resistance, low gate threshold voltage and low input capacitance.
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Ultra-small surface-mount package
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
280mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.6ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
250mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
280mA
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
280mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.6ohm
Transistor Case Style
SOT-523F
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
