Imprimir página
2N7002LT3G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N7002LT3GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo98H1012
Rodo à Medida09R9864RL
Segmento de fita09R9864
Seu número de peça
1,615 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.245 | $ 0.24 |
| Total Preço | $ 0.24 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.245 |
| 50+ | $ 0.156 |
| 100+ | $ 0.101 |
| 250+ | $ 0.089 |
| 500+ | $ 0.076 |
| 1000+ | $ 0.069 |
| 2500+ | $ 0.062 |
| 5000+ | $ 0.055 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 10000+ | $ 0.048 |
| 30000+ | $ 0.044 |
| 50000+ | $ 0.043 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N7002LT3GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo98H1012
Rodo à Medida09R9864RL
Segmento de fita09R9864
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id115mA
On Resistance Rds(on)7.5ohm
Drain Source On State Resistance7.5ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd300mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The 2N7002LT3G is a N-channel Small Signal MOSFET offers 60V drain source voltage and ±115mA continuous drain current.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
7.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
300mW
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
Drain Source On State Resistance
7.5ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para 2N7002LT3G
7 produtos encontrados
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto