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2N7002ET1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N7002ET1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rodo à Medida09R9861RL
Segmento de fita09R9861
Seu número de peça
4,023 Em Estoque
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a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.235 | $ 0.24 |
| Total Preço | $ 0.24 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.235 |
| 50+ | $ 0.108 |
| 100+ | $ 0.095 |
| 250+ | $ 0.084 |
| 500+ | $ 0.072 |
| 1000+ | $ 0.071 |
| 2500+ | $ 0.069 |
| 5000+ | $ 0.068 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N7002ET1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rodo à Medida09R9861RL
Segmento de fita09R9861
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id310mA
Drain Source On State Resistance2.5ohm
On Resistance Rds(on)0.86ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd420mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation420mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The 2N7002ET1G is a N-channel small signal MOSFET in Trench technology and low drain to source voltage. Suitable for low side load switch and level shift circuits.
- 1.2A Pulsed drain current
- ±20V Gate-source voltage
- Halogen-free
Aplicações
Industrial, Consumer Electronics
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
420mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
310mA
On Resistance Rds(on)
0.86ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
420mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para 2N7002ET1G
3 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
