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2N7000TA
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N7000TACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rodo à Medida31Y5851RL
Segmento de fita31Y5851
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.570 | $ 2.85 |
| Total Preço | $ 2.85 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.570 |
| 15+ | $ 0.362 |
| 25+ | $ 0.355 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N7000TACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rodo à Medida31Y5851RL
Segmento de fita31Y5851
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id200mA
On Resistance Rds(on)5ohm
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.9V
Power Dissipation Pd400mW
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The 2N7000TA is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density and DMOS technology. It minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Fast switching
- Lower input capacitance
- Extended safe operating area
- Improved inductive ruggedness
- Improved high temperature reliability
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
5ohm
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
400mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.9V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para 2N7000TA
7 produtos encontrados
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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