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2N7000
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Through Hole
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N7000
Código Newark58K9650
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The 2N7000 is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed current up to 2A. It is also suitable for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para 2N7000
5 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos