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2N5195G.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Through Hole
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 500+ | $ 0.511 |
| 1000+ | $ 0.507 |
| 2500+ | $ 0.500 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 500
Vários: 500
$ 255.50
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N5195G.Cópia
Código Newark28AC7842
Ficha técnica
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max80V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Continuous Collector Current4A
DC Collector Current4A
Power Dissipation Pd40W
Power Dissipation40W
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE80hFE
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-225
Transition Frequency2MHz
DC Current Gain hFE Min80hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
DC Collector Current
4A
Power Dissipation
40W
DC Current Gain hFE
80hFE
Transistor Case Style
TO-225
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Continuous Collector Current
4A
Power Dissipation Pd
40W
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
2MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para 2N5195G.
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto