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MRFE6VP6300HSR5
RF FET Transistor, 125 V, 100 mA, 300 W, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780S
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteMRFE6VP6300HSR5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante101 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13T4415
Segmento de fita13T4415
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 101 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 50 | $ 215.280 | $ 10,764.00 |
| Total Preço | $ 10,764.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 50+ | $ 215.280 |
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Informação do produto
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteMRFE6VP6300HSR5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante101 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13T4415
Segmento de fita13T4415
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds125V
Continuous Drain Current Id100mA
Power Dissipation300W
Power Dissipation Pd300W
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max600MHz
Transistor Case StyleNI-780S
RF Transistor CaseNI-780S
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
The MRFE6VP6300HSR5 is a N-channel RF Power FET designed for use in high VSWR (including laser and plasma exciters), broadcast (analogue and digital), aerospace and radio/land mobile applications. It is unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30 to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection
- Greater negative gate source voltage range for improved class C operation
- Characterized with series equivalent large signal impedance parameters
Aplicações
Industrial, Avionics, Power Management
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
125V
Power Dissipation
300W
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
NI-780S
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
100mA
Power Dissipation Pd
300W
Operating Frequency Max
600MHz
RF Transistor Case
NI-780S
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos