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MRFE6VP5600HR5
RF FET Transistor, 130 V, 100 mA, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteMRFE6VP5600HR5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante101 semanas
Código Newark
Rolo completo29X4271
Segmento de fita24T5453
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 21 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 50 | $ 342.910 | $ 17,145.50 |
| Total Preço | $ 17,145.50 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 50+ | $ 342.910 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 50+ | $ 205.590 |
| 500+ | $ 199.020 |
| 1000+ | $ 195.730 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteMRFE6VP5600HR5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante101 semanas
Código Newark
Rolo completo29X4271
Segmento de fita24T5453
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds130V
Continuous Drain Current Id100mA
Power Dissipation1.667kW
Operating Frequency Min1.8MHz
Power Dissipation Pd1.667kW
Operating Frequency Max600MHz
Transistor Case StyleNI-1230
No. of Pins4Pins
RF Transistor CaseNI-1230
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
The MRFE6VP5600HR5 is a 130V N-channel Enhancement Mode Lateral MOSFET designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio/land mobile applications.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate source voltage
Aplicações
Industrial, Defence, Military & Aerospace, Communications & Networking
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
130V
Power Dissipation
1.667kW
Power Dissipation Pd
1.667kW
Transistor Case Style
NI-1230
RF Transistor Case
NI-1230
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
100mA
Operating Frequency Min
1.8MHz
Operating Frequency Max
600MHz
No. of Pins
4Pins
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
-
Alternativas para MRFE6VP5600HR5
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidade do produto